半導体製造プロセスの全体像

▶ウェーハ表面を高温の酸素にさらすことで酸化膜を形成するプロセス。

▶酸化膜は絶縁層となりトランジスタの構成要素になる。

▶ウェーハの表面に様々な材料の薄膜を形成するプロセス。

▶形成方法には、材料ガスに晒してウェーハ上に膜をつけるCVD、放電によってイオン化した材料をウェーハ表面に衝突させるスパッタリングなどが挙げられる。

▶フォトレジストといわれる感光剤をウェーハ表面に均一に塗布する工程。

▶照射により光に反応して回路パターンを焼き付けることができる。

▶光源から照射した光をフォトマスク、レンズを通すことで任意の回路パターンを焼き付ける工程。

▶照射後、現像液により不要なフォトレジスト部分を除去する。

▶フォトレジストで形成されたパターンに沿って酸化膜や薄膜を削り取る工程。

▶フォトレジストに覆われた箇所は残存する。

▶残存したフォトレジストを剥離する工程。

▶その後、ウェーハ上に残っている不純物を薬液に浸して取り除く。

▶不純物イオンを注入し、熱処理によって活性化する工程。

▶これにより半導体の電気的特性を変化させることができる。

▶ウェーハ表面を研磨し、凸凹を平坦化する工程。

▶フォトレジスト塗布から平坦化までの工程を繰り返すことで必要な回路を形成する。

▶電極配線用の金属（電極）をウェーハに埋め込む。

▶埋め込んだ電極がチップ内外を電気的に接続する通り道となる。

▶ウェーハに形成された個々のチップそれぞれに対しプローブと呼ばれる針を接触させて電気的に問題がないかを検査する。

▶ウェーハをダイヤモンドブレードで切断し、ひとつひとつのチップに分離させる。

▶リードフレームと呼ばれる金属の枠にチップを固定し、金線で接続する。これにより、チップとの配線が可能になる。

▶チップを傷や衝撃から保護するため、樹脂でパッケージする。