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CMP(化学機械研磨)マクロスラリー 挙動解析ソリューション
回転パッド上のマクロスラリー挙動の解析ソリューション
このようなニーズはありませんか？
・研磨ムラによる表面品質のばらつきで、歩留まりが低下している
・古いスラリーが残り、パーティクル欠陥が発生している
・スラリー供給が最適化できず、無駄なコストがかかっている
半導体製造において、CMP(化学機械研磨)はデバイスの品質や歩留まりを左右する重要な工程です。
ウェハ表面の平坦化を目的とするCMPプロセスでは、研磨ムラ、スラリーの供給・排出の最適化といった課題が常に存在します。
近年は特にナノレベルでの表面品質管理が求められ、スラリー挙動の詳細解析の重要性が増しています。
スラリーの流動特性や分布、研磨パッドとの相互作用を把握・最適化することで、歩留まりの向上や研磨性能の安定化が可能となります。
ソリューションの概要と特長・効果
本ソリューションは、回転パッド上のマクロスラリー挙動の解析です。
課題
- 研磨パッド上のスラリー分布が不均一だと、研磨ムラが発生する。
- スラリーが適切に供給・回収されないと、古いスラリーが研磨面に残り、表面欠陥の原因に。
- 摩耗性能を向上させつつ、過剰研磨を防ぐ必要がある。
ソリューション
- 流体解析で表面張力や境界の動きを考慮したスラリーの流動や分布を再現。
- DEMツールで流れ場と連成し、研磨粒子の挙動を詳細に解析。
- HPCによる高速計算により、最適なパラメータを迅速に評価。
ベネフィット
- 古いスラリーを効率的に除去することで、安定した研磨品質を維持。
- 供給フローの最適化により、スラリー使用量を削減し、ランニングコストを低減。
- 摩耗性能を向上させることで、稼働時間を短縮し、不良発生率を抑制。
