電磁界解析電子機器の放射イミュニティ解析事例

  • 外来ノイズに弱い構造を事前に見極め、回路・基板・筐体設計段階で対策を盛り込みたい。
  • 実機で問題となっている放射イミュニティの現象を可視化したい。

外部ノイズに対する耐性の問題は、放射イミュニティ試験時に初めて認識されるケースが多く、規定の性能を満足するためには多数の対策部品や実機検討工数が必要となります。電磁界解析を活用することにより設計段階で電磁界の振る舞いを可視化することができ、外来ノイズに対する耐性の高い製品設計に貢献します。本事例では3方向から平面波を電子機器(ノートPC)に照射し、影響の高い箇所に対策を盛り込み、対策前後でセット近傍の電磁界分布を比較します。

解析モデル

解析条件

  • 解析周波数範囲:80-1000MHz
  • 入力条件:10V/m(平面波)

図.解析対象物(ノートPC)

図.平面波の照射方向(ノートPC側面図)

解析結果(初期結果)

照射方向 Incident Field Total Field(クリックして動画を表示)
真上から
斜め方向から
正面から

図.照射方向別 ノートPC断面の電界分布

照射した電波がキーボード(誘電体)を透過しノートPC内部にも平面波の影響がみられる


図. DVDと基板を接続するケーブル端の電圧値

図.真上から照射電界分布@930MHz

DVDと基板を接続するケーブルにおいて電界レベルが高い
特に930MHzにおいて顕著に電界レベルが高い

改善案

図.ケーブルの引きまわし 対策前
図.ケーブルの引きまわし 対策後

DVDと基板を接続するケーブルの引き回しを上記のように変更する

対策後の解析結果

真上から 斜め方向から 正面から
対策前
対策後

図.電界分布@930MHz

ケーブル周辺の電界レベルが大幅に改善

解析種類

対応プロダクト

以下のライセンスを使用

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