ICパッケージのトランスファー成形解析

トランスファー成形とは、予め材料をポット（加熱室）で加熱溶融させた後、プランジャーで加圧してランナー内を流動させキャビティ内に移送する成形方法です。
PlanetsXでは、樹脂を所定の場所に初期配置する機能を有しているので、ポット内での材料の加熱は初期配置機能を利用して解析でき、金型移動と併用してトランスファー成形全体の解析が可能となります。
図1にトランスファー成形解析での解析形状（メッシュ）を示します。

解析結果（充填状態）を図２に示します。ポット上面（プランジャーを表現）が下に移動し、ポット内の樹脂がキャビティ側に移送される様子が分かります。

充填状態のアニメーションを図3に示します。

変形図を図4に示します。プランジャーが下に向かって移動したことがわかります。

ICパッケージのトランスファー成形では、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が使われます。
PlanetsXでは熱硬化性樹脂の解析も可能なシステムですので、樹脂の熱硬化反応率の解析、および反応に伴う粘度の変化を考慮した解析も可能です。従いまして、熱硬化反応解析も併用することで、トランスファー成形をより実際に近い形で解析できるので、成形条件の検討を精度よく行うことが可能です。