解析事例
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の基本特性および磁場-熱-構造連成解析
こんな方におすすめ
- インダクタンスなど電子部品の特性を算出したい。
- 損失による温度変化、熱応力の計算まで、一連の連成解析を簡単に実施したい。
概要
IGBTデバイスのボンディングワイヤには電流が集中して流れるため、ローレンツ力や温度上昇による熱応力が発生し、断線の原因となります。ここでは、電気伝導度の温度依存性も考慮し、磁場ー熱の双方向連成にて定常温度分布を求め、温度とローレンツ力を考慮した構造解析を実施しました。これらのデータは、システム間の紐付けで簡単に引き渡しできます。
解析モデル
図.IGBTモデル
解析結果
図.磁場-熱-構造連成解析
関連キーワード
関連情報
関連する解析事例
MORE
関連する資料ダウンロード
MORE-
コントローラ&センサのデータ駆動型シミュレーション
～データ駆動によるロボットのモデリングと制御設計～
-
EMCのお悩みありませんか？ ～EMCソリューション～
-
ガラス炉の燃焼効率向上・NOx削減ソリューション ～Ansys Fluentによるソリューション～
～Ansys Fluentによるソリューション～
-
炭素回収・利用・貯留におけるCO2の削減 ～Ansys Fluentによるソリューション～
～Ansys Fluentによるソリューション～
-
仮想環境で実現するマシンビジョン設計～Ansys Speosによるカメラ&照明最適化ソリューション～
～Ansys Speosによるカメラ&照明最適化ソリューション～
-
構想設計ですぐにリアルタイム検証 ～解析専任者ゼロでも使いこなせるAnsys Discovery～
～解析専任者ゼロでも使いこなせるAnsys Discovery～
-
筐体の冷却性能を構想設計から見える化 （手戻りを削減できる）
～Ansys Discoveryで始める電気筐体製品の設計改革～
-
若手でもすぐに使えるリアルタイム解析 （勘と経験からの脱却）
～Ansys Discoveryによる30名規模メーカーの設計改革～
