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CZ炉における単結晶育成の最適化検討
このようなニーズはありませんか？
・CZ炉内の状態を把握して製造工程改善に活かしたい
・製造工程における運転条件の最適化にかかるコストや時間を削減したい
単結晶シリコン育成方法の1つであるCZ法では、CZ炉内の中心部と周辺部の温度差が大きいため、メルトの量が多いほど対流が強くなり、メルトの温度が不安定になるという問題点があります。
大型の単結晶シリコンを育成するには温度分布やメルトの流動状態を安定させる必要があり、そのためにはこれらの状態を把握し種々の運転条件を最適化することが必須となります。
しかし、CZ炉内の状態を観察することは困難であり、最適化には多くのコストや時間を要します。
ソリューションの概要と特長・効果
本ソリューションは、CZ法による単結晶シリコン製造工程の熱流体解析モデルを構築し解析作業を自動化させることで、運転条件最適化を低コスト、短時間で実施できるソリューションです。
