基板の近傍・遠方界解析を活用した放射ノイズ抑制事例

こんな方におすすめ

回路シミュレータで解析した波形結果をノイズ源とし、基板近傍の電磁界分布、遠方界の電界強度[dBuV/m]を確認します。デバイスの動作特性を考慮した波形を給電でき、且つ複数の信号にノイズ源を設定することができるため、より実動作に近い条件での解析が可能です。

図. 基板レイアウト

基板レイアウトを電磁界シミュレータにインポートし、
ノイズ源として設定する信号に対しSYZ解析を実行する

図. ノイズ源信号のトポロジー

電磁界解析結果を回路シミュレータにインポートし、
ドライバ・レシーバモデルを接続後トランジェント解析を実行する

図. ドライバICピン端波形

図. Push Excitation設定

解析結果を電磁界シミュレータへ Push Excitation する

図. Far Field Solution 設定画面

回路シミュレータの解析結果がノイズ源として自動設定される
遠方界解析を実行する

図. 3ｍ遠方界電界強度

ノイズ源の高調波周波数にて顕著なピークが発生
→これらピーク周波数にてシステムレベルのEMIの悪化が懸念される

図. 基板表面電界分布＠600MHz

図. 基板表面磁界分布＠600MHz

ピーク周波数における基板近傍において
ノイズ源設定箇所以外にも電界レベルの高い箇所、
電流が集中する箇所がみられる
→レイアウト変更、EMI対策部品の追加を検討

ノイズ源とした信号にEMI対策部品として抵抗（47Ω）を追加する

図. 対策前後3ｍ遠方界電界強度

→偶数高調波、GHz以上の帯域において10dB以上改善

図. 基板表面電界分布＠600MHz

図. 基板表面磁界分布＠600MHz

→電界、磁界レベルが大幅に低減