IGBTモデル編
パワー半導体の基礎であるIGBTに関するデバイスモデリングの教材です。また、IGBTのモデリング、モデルの評価方法、インバータ回路シミュレーションの事例が掲載されています。IGBTモデルのご理解に是非、ご活用下さい。教材CD-Rの中にパワー・ポイント(334枚)のファイル、東芝セミコンダクター社「GT10J321」IGBTのモデル、評価回路シミュレーション、インバータ回路シミュレーションデータが格納してあります。
目次
序論
デバイスモデリング
【IGBT】
- 1.1
- AREA,TAU,WBの抽出方法
- 1.2
- KP,VTの抽出方法
- 1.3
- KFの抽出方法
- 1.4
- CGS,COXD,AGDの抽出方法
- 1.5
- 飽和特性の補正等価回路
【FWD】
- 1.6
- IS,N,RS,IKFの抽出方法
- 1.7
- CJO,M,VJ
- 1.8
- TT(trj)の抽出方法
- 1.9
- サブサーキットの記述方法
- 1.10
- IGBTデバイスモデリングの最新研究報告
- 2.
- IGBTモデルの評価方法
- 2.1
- Transfer特性の評価解析シミュレーション
- 2.2
- 飽和特性の評価解析シミュレーション
- 2.3
- ゲート・チャージ特性の評価解析シミュレーション
- 2.4
- スイッチング特性(tf)の評価解析シミュレーション
- 3.
- PSpiceシミュレーション
【インバータ回路】