逆回復特性(trj+trb)を考慮したダイオードモデル編

ダイオードのパラメータ・モデルでは、逆回復特性をパラメータTT、1個で表現しており、逆回復特性を忠実に表現しておりません。
逆回復特性を忠実に再現する為には、等価回路モデルを採用しなければなりません。このモデルの用途は、回路上にて、スイッチング時間が影響する場合、特にパワー・エレクトロニクスにおいて、パワーMOSFETのボディダイオード、IGBTのFWDに有効です。
等価回路モデルのご紹介、等価回路モデルのご理解に是非、ご活用下さい。また、電流減少率(didt)モデルの最新研究の成果、及びサーマル・デバイスモデルも掲載しています。

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