デバイスモデルとは

大きく分類すると、2つに区分出来ます。

パラメータ・モデル

デバイスモデル記述をパラメータのみで表現します。単体のダイオード、ショットキ・バリア・ダイオードMOSFET、トランジスタ、Junction FET、a-Si TFT、poly-Si TFTなどのデバイスはこのタイプです。

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* PART NUMBER: 1SR139-400
* MANUFACTURER: ROHM
* VRM=400,Io=1.0A=IFSM=40A
* All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004
.MODEL 1SR139-400 D
+ IS=11.797E-12
+ N=1.3533
+ RS=52.928E-3
+ IKF=.20632
+ ISR=0
+ CJO=22.539E-12
+ M=.36819
+ VJ=.46505
+ BV=400
+ IBV=10.000E-6
+ TT=7.6751E-6
.ENDS
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ビヘイビア・モデル

デバイスの電気的特性をPSpiceのパラメータだけでは実現できない場合、等価回路を付加することで実動作と同じ特性を実現しています。
上記以外(大部分)のデバイスモデルは、ビヘイビア・ モデルで表現されています。

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* PART NUMBER: 1SR139-400
* MANUFACTURER: ROHM
* VRM=400,Io=1.0A=IFSM=40A
* All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004
.SUBCKT D1SR139-400 A K
R_R2 5 6 3500
R_R1 3 4 1
C_C1 5 6 100p
E_E1 5 K 3 4 1
S_S1 6 K 4 K _S1
RS_S1 4 K 1G
.MODEL _S1 VSWITCH Roff=50MEG Ron=1m Voff=90mV Von=100mV
G_G1 K A VALUE { V(3,4)-V(5,6) }
D_D1 2 K D1SR139-400
D_D2 4 K D1SR139-400
F_F1 K 3 VF_F1 1
VF_F1 A 2 0V
.MODEL D1SR139-400 D
+ IS=11.801E-12
+ N=1.3533
+ RS=52.928E-3
+ IKF=.20632
+ ISR=0
+ CJO=22.539E-12
+ M=.36819
+ VJ=.46505
+ BV=400
+ IBV=10.000E-6
+ TT=3.8551E-6
.ENDS
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