測定例

【SiO2】、SiNの膜厚測定

半導体トランジスタの絶縁膜に利用されるSiO2、SiNの膜厚測定を行えます。
絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のためには欠かせない測定です。

ハードコートの膜厚測定

高機能フィルムのフィルム表面に耐摩擦、耐衝撃、耐熱、耐薬品などの性能を持つ保護フィルムが必要になる場合、ハードコート膜を製膜することが一般的です。
ハードコート膜の厚みによっては、保護フィルムとして機能しない、フィルムに反りが生じる、見た目にムラや歪み等、様々な現象が生じます。
そのため、ハードコート層には適切な膜厚値の管理が必要です。

傾斜モデルを用いたITOの構造解析

液晶ディスプレイなどに用いられる透明電極材料であるITO(Indium-tin-oxide)は、 製膜後のアニール処理によって導電性や色味が向上します。
その際、酸素状態や結晶性も変化しますが、この変化は膜の厚みに対して段階的に傾斜変化することがあり、光学的に組成が均一な単層膜としてみなすことができません。
このようなITOに対して、傾斜モデルを用いて、上部界面と下部界面のnkから、傾斜の度合いを測定できます。

複数点同一解析を用いたnk未知の極薄膜の測定

最小二乗法でフィッティングをして膜厚値を解析するには 材料のnkが必要です。
このnkが未知の場合、可変パラメータとして解析を行えます。

膜厚値が100nm以下の極薄膜の場合、膜厚値とnkを分離できず、 精度の低下が懸念されます。
このような場合、膜厚値の異なるサンプルを複数測定し、nkが同一であると仮定して複数点同一解析をします。
これにより精度良くnkを求め、正確な膜厚値を求められます。

 


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