F-415:30-16:10

電磁界、回路・システム解析

MHz駆動高電力密度絶縁形DC-DCコンバータ内における
GaN-HEMTに対する漏れ磁束の影響とその対策
長崎大学大学院
針屋 昭典 様

講演概要

近年、絶縁形DC-DCコンバータの高電力密度化を実現するために、横型構造のスイッチ素子であるGaN-HEMTが多く用いられるようになってきた。しかし、高電力密度化により素子同士の近接化がますます問題となっており、その相互の影響について検討し、設計へ反映する必要がある。
本発表では、5MHz駆動の絶縁形DC-DCコンバータにて、磁気トランスの漏れ磁束がGaN-HEMTに与える影響についての検討、さらに、その影響を軽減するために多層基板の一層を磁気シールドとして導入した場合の有効性について解析および実験結果から述べる。さらに、本研究の遂行にあたりANSYS Maxwell 3Dの利用が非常に有効であったため解析ステップについても発表を行う。

キーワード

MHz駆動、高電力密度、絶縁形DC-DCコンバータ、GaN-HEMT、漏れ磁束

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