静磁場解析/熱応力解析
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の静磁場解析と熱応力解析の例です。IGBTの基本特性であるインダクタンス等を算出しつつ、IGBTに発生する電流密度や吸引力を考慮した熱分布や応力分布を確認することが可能です。熱解析や応力解析ではそれぞれ独自のメッシュを作成することにより精度の高い結果を評価することがWorkbench環境により可能です。



対応プロダクト
| 製品情報 | 製品ラインナップ 解析機能 ソルバーと大規模計算 |
| セミナー | 定期セミナー日程表 特別セミナー |
| 事例 | ANSYS解析事例(業界別) ユーザインタビュー ユーザ会発表事例 |
| 問い合わせ | 問い合わせ 資料請求 |