電磁界解析IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の基本特性および磁場-熱-構造連成解析

  • インダクタンスなど電子部品の特性を算出したい。
  • 損失による温度変化、熱応力の計算まで、一連の連成解析を簡単に実施したい。

概要

IGBTデバイスのボンディングワイヤには電流が集中して流れるため、ローレンツ力や温度上昇による熱応力が発生し、断線の原因となります。ここでは、電気伝導度の温度依存性も考慮し、磁場ー熱の双方向連成にて定常温度分布を求め、温度とローレンツ力を考慮した構造解析を実施しました。これらのデータは、システム間の紐付けで簡単に引き渡しできます。

解析モデル


図.IGBTモデル

解析結果


図.磁場-熱-構造連成解析

解析種類


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